X射線吸收譜(XAS)是一種基于同步輻射光源的先進(jìn)分析技術(shù),通過(guò)測(cè)量物質(zhì)對(duì)X射線的吸收特性,揭示原子局域電子態(tài)及幾何結(jié)構(gòu)信息。其核心原理可分解為物理過(guò)程與能量分區(qū)兩大維度:
物理過(guò)程:電子躍遷與散射干涉
當(dāng)X射線能量達(dá)到原子內(nèi)層電子(如K、L層)的電離能時(shí),電子被激發(fā)為光電子,形成吸收邊的突躍。光電子以波函數(shù)形式向外傳播,若遇到近鄰原子會(huì)發(fā)生彈性散射(背散射),散射波與出射波在吸收原子處干涉,導(dǎo)致吸收系數(shù)隨能量周期性振蕩。這一過(guò)程可通過(guò)朗伯-比爾定律定量描述:吸收系數(shù)μ(E)與樣品厚度d、入射強(qiáng)度I?和透射強(qiáng)度I的關(guān)系為I=I0⋅e−μ(E)d。
能量分區(qū):XANES與EXAFS的協(xié)同解析
X射線吸收近邊結(jié)構(gòu)(XANES)
聚焦吸收邊10eV至邊后50eV的強(qiáng)振蕩區(qū)域,反映光電子與近鄰原子的多重散射效應(yīng)。其譜圖特征(如邊前峰、肩峰)直接關(guān)聯(lián)吸收原子的電子態(tài)密度分布,例如通過(guò)吸收邊位置偏移可定量分析元素價(jià)態(tài)變化(如Fe²?與Fe³?的區(qū)分),邊前峰的存在則揭示未占據(jù)分子軌道信息。
擴(kuò)展X射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)
覆蓋吸收邊后50-1000eV的弱振蕩區(qū)域,源于光電子的單次散射效應(yīng)。通過(guò)傅里葉變換將振蕩信號(hào)轉(zhuǎn)換為徑向分布函數(shù),可精確獲取配位原子鍵長(zhǎng)(精度達(dá)0.01Å)、配位數(shù)及無(wú)序度等信息。例如,在鋰離子電池材料研究中,EXAFS可揭示過(guò)渡金屬(如Ni、Co)在充放電過(guò)程中的配位環(huán)境演變。
實(shí)驗(yàn)方法:多模式適配與原位表征
透射模式
適用于高濃度樣品(如粉末、薄膜),通過(guò)測(cè)量入射與透射X射線強(qiáng)度比計(jì)算吸收系數(shù)。需控制樣品厚度以避免自吸收效應(yīng),常用于晶體、非晶態(tài)及液態(tài)樣品的靜態(tài)分析。
熒光模式
利用目標(biāo)原子受激后發(fā)射的熒光信號(hào)強(qiáng)度反推吸收量,適用于低濃度或單原子體系(如催化劑表面活性位點(diǎn))。例如,在燃料電池Pt催化劑研究中,熒光模式可精準(zhǔn)定位表面Pt原子的配位狀態(tài)。
原位/operando技術(shù)
結(jié)合高壓、高低溫或電化學(xué)環(huán)境,實(shí)時(shí)追蹤材料在反應(yīng)過(guò)程中的結(jié)構(gòu)動(dòng)態(tài)。例如,在電催化CO?還原研究中,原位XAS可揭示催化劑活性位點(diǎn)的價(jià)態(tài)變化與配位重構(gòu)機(jī)制。
技術(shù)優(yōu)勢(shì)與典型應(yīng)用
XAS對(duì)樣品形態(tài)無(wú)嚴(yán)格要求(粉末、液體、氣體均可),且不破壞樣品,在材料科學(xué)、能源存儲(chǔ)、環(huán)境監(jiān)測(cè)等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。例如,在稀土摻雜半導(dǎo)體材料研究中,XAS可同時(shí)解析局域結(jié)構(gòu)畸變與電子態(tài)分布;在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,XAS可表征金屬蛋白(如血紅素)中金屬離子的配位環(huán)境,為藥物設(shè)計(jì)提供結(jié)構(gòu)依據(jù)。
通過(guò)XANES與EXAFS的協(xié)同解析,結(jié)合透射、熒光及原位實(shí)驗(yàn)?zāi)J剑琗AS已成為揭示材料原子尺度結(jié)構(gòu)-性能關(guān)系的關(guān)鍵工具,推動(dòng)著從基礎(chǔ)研究到工業(yè)應(yīng)用的跨越式發(fā)展。